BAKI SILIKON KARBIDA
Aplikasi: Proses etsa ICP untuk bahan film tipis lapisan epitaksi (GaN, SiO2, dll.) untuk inti wafer LED, difusi semikonduktor menggunakan bagian keramik presisi, dan proses epitaksi MOCVD untuk wafer semikonduktor. Baki keramik silikon karbida terbuat dari bahan keramik silikon karbida sinter dengan kemurnian tinggi dan tidak bertekanan, yang memiliki keunggulan kekerasan tinggi, ketahanan aus, konduktivitas termal tinggi, stabilitas mekanik suhu tinggi, dan ketahanan korosi, serta presisi tinggi dan keseragaman etsa lapisan epitaksi wafer.
Deskripsi
Baki SiC memiliki banyak keunggulan dibandingkan baki jenis lainnya. Pertama-tama, konduktivitas termalnya yang tinggi menjadikannya ideal untuk proses perlakuan panas, seperti sintering dan brazing. Bahan ini dapat menahan suhu hingga 1650 derajat tanpa melengkung atau rusak, yang berarti bahan ini dapat digunakan di lingkungan yang keras di mana bahan lain akan rusak.
Kedua, baki silikon karbida bersifat inert secara kimia dan tidak bereaksi dengan sebagian besar bahan kimia, termasuk asam, basa, dan garam. Fitur ini menjadikannya ideal untuk digunakan dalam industri kimia dan farmasi, yang sering menggunakan bahan kimia keras.
Ketiga, baki SiC sangat tahan terhadap abrasi dan memiliki koefisien muai panas yang rendah. Hal ini menjadikannya ideal untuk digunakan dalam aplikasi tungku suhu tinggi di mana bagian-bagiannya harus terpasang dengan baik dan tidak mengembang atau menyusut karena perubahan termal.
